- В Samsung разработали флеш-память будущего —... (489)
- Дистанционный запуск скоро на УАЗах,... (798)
- Москвичи и не только массово пожаловались на... (376)
- Блогер показал разборку iPhone 17 и... (323)
- Google урезала бесплатный доступ к Gemini 3... (904)
- Производитель легендарных Cherry MX... (299)
- Двигатель «ушёл» под днище: в России у... (828)
- Ему не нужны ни чехол, ни плёнка. Первый... (466)
- Яндекс выпустил новый фен 2-в-1 под... (456)
- Kia с мотором от Hyundai Solaris, с... (570)
- Первый в мире флагман на Qualcomm Snapdragon... (434)
- Два сверхъярких OLED-экрана, уникальный... (322)
- Два сверхярких OLED-экрана, уникальный... (465)
- Мини-флагман с большим характером,... (432)
- Volkswagen и BMW практически пропали с... (301)
- «С тех пор игра сильно изменилась»: Ubisoft... (448)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...