- Nvidia подключается к Hynix, чтобы за два... (2169)
- OpenAI выпустила ChatGPT 5.2 с новой... (2190)
- Huawei Mate X7 вышел на глобальный рынок с... (2600)
- Rockstar обвинила уволенных со скандалом... (2525)
- Новый 64-ядерный процессор Intel Xeon 696X... (2249)
- OneXPlayer представила Super X — геймерский... (2203)
- Zotac выпустила мини-ПК с настольной GeForce... (2027)
- «Рег.ру» вывел на рынок приватного... (2146)
- Warhammer 40,000: Rogue Trader вышла на... (2087)
- Релиз Deus Ex Remastered отложили на... (2421)
- Нейросеть Sora сможет законно генерировать... (2121)
- Часы для фанатов PlayStation в честь... (2472)
- Купить Xiaomi за криптовалюту. Смартфоны... (2846)
- Intel проиграла апелляцию, но штраф снова... (2562)
- MSI представила материнские платы X870E Max... (1943)
- OpenAI обвиняется в том, что ChatGPT стал... (2061)
В новой памяти с изменением фазового состояния используется только сурьма
Дата: 2018-06-27 10:38
Специалисты исследовательского отделения IBM в Цюрихе и их коллеги из Рейнско-Вестфальского технического университета в Ахене создали новую энергонезависимую память, построенную на изменении фазового состояния вещества.
В отличие от ранее разработанных аналогов, в которых используется компаунд из германия сурьмы и теллура (GeSbTe), в новой памяти используется только сурьма (Sb). Это позволяет уменьшить размеры ячеек для повышения плотности хранения, поскольку в микроскопических структурах из компаунда сложно выдержать необходимое соотношение составляющих и отсутствие примесей, результатом чего становится уменьшение процента выхода годной продукции, а при использовании только одного материала такой проблемы нет.
В новой памяти стекловидная пленка сурьмы толщиной от 3 до 10 нм, получаемая быстрым охлаждением расплава, заключена между слоями кремния толщиной 40-200 нм. В прототипах исследователям удавалось менять состояние пленки из проводящего в непроводящее или обратно за 50 нс, что соответствует частоте 20 МГц. Пока это не впечатляет в сравнении с существующей памятью, но исследователи уверены, что скорость можно повысить, приблизившись к показателям DRAM.
Самым большим препятствием на пути к серийному производству является ограниченный срок службы стекловидной сурьмы. При типичной рабочей температуре бытовой электроники 60-70°C он составляет всего 100 с. Однако исследователи уверены, что и этот параметр можно улучшить. Возможно, это будет сделано изменением толщины пленки, переходом к объемным структурам или использованием другого материала вместо кремния.
КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
Belkin представила две клавиатуры с разъемами USB-C для планшетов с Chrome OS
В ходе мероприятия International Society for Technology in Education (ISTE), на котором демонстрируются различные новинки для образовательного сегмента рынка, компания Belkin показала две новые проводные клавиатуры. Обе новинки предназначены для использования с планшетами, которые работают под управлением Chrome OS. Отличаются клавиатуры наличием подставки, на которой можно...
Из-за ареста главы Audi запуск электрического кроссовера E-Tron Quattro перенесён на более поздний срок
Как сообщают источники, Audi отменила свои планы по запуску электрического кроссовера E-Tron Quattro в конце августа. Это связано с недавним арестом генерального директора компании Руперта Штадлера (Rupert Stadler). Штадлер был арестован в прошлый понедельник. Основания — подозрения в участии в пресловутом дизельгейте. Если точнее, сам ордер на арест основан на подозрении в...
Видеорегистратор Transcend DrivePro 550 оснащен двумя камерами
Компания Transcend представила новый автомобильный видеорегистратор Transcend DrivePro 550, оснащенный двумя камерами, позволяющими записывать происходящее на дороге и внутри машины. Основная камера получила датчик изображения Sony, а также объектив с углом обзора 160° и диафрагмой F/2,2. Она позволяет записывать детализированные ролики разрешением 1920 х 1080 пикселей при 30...
Представлены SoC для смартфонов Qualcomm Snapdragon 632, 439 и 429
Компания Qualcomm сегодня представила три новые однокристальные платформы для смартфонов: Snapdragon 632 среднего уровня и две модели уровня начального - Snapdragon 439 и 429. Ожидается, что готовые решения на базе новинок появятся во втором полугодии. Начнем с моделей начального уровня. Snapdragon 439 пришла на смену SoC Snapdragon 435, а Snapdragon 429 выступает заменой...