- Новая статья: Обзор смартфона Sony Xperia 1... (1007)
- Новая статья: Система жидкостного охлаждения... (1365)
- Календарь релизов — с 23 февраля до 1 марта:... (1210)
- Автопром готов предложить машины, где за... (1133)
- Чипы AMD прожорливы, NVIDIA — дороги, а... (961)
- Чипы AMD прожорливы, NVIDIA — дороги, а... (682)
- Жёлтый сигнал тревоги: кабели MSI 12V-2x6... (635)
- В Steam стартовал праздник будущих хитов —... (960)
- Учёные выяснили, как на окраине Солнечной... (898)
- Сотрудники узнали из СМИ: как Microsoft... (636)
- Новая каменистая экзопланета LHS 1903 e... (637)
- Физики впервые напрямую зафиксировали «след»... (949)
- Твердотельный аккумулятор Donut Lab... (916)
- Ubisoft поставила у руля Assassin’s Creed... (763)
- Учёные выяснили: наличие «глаз» заставляет... (807)
- Вовремя сбежавший в Исландию вице-президент... (798)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...