- Intel просто возьмёт процессор двухгодичной... (505)
- «Lada Vesta — наше все», — АвтоВАЗ выпустит... (373)
- АвтоВАЗ сравнивает Lada Aura с Toyota Camry... (365)
- «Лаборатория Касперского» закрывает офис в... (113)
- «Лаборатория Касперского» закрывает офис в... (312)
- MSI представила видеокарту и игровую... (385)
- Производство новых Lada Largus здорово... (302)
- Blue Origin отложила запуск второй... (299)
- Математика от Intel — это когда IPC вырос на... (266)
- Конец эпохи: Apple объявила последние iPod... (279)
- Представлен «прикуриватель» для батареи... (289)
- Звезда дубляжа Cyberpunk 2077: «халтурную»... (288)
- YouTube активно мешает переносу контента на... (313)
- Все параметры новых процессоров Intel Core... (252)
- Intel сама признаёт, что Core Ultra 9 285K... (303)
- iFixit выпустила отклеиватель аккумуляторов... (246)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...