- «Самый тонкий внешний аккумулятор в... (919)
- Чтобы стать умным, человеку нужно 20 лет и... (866)
- 200 Мп + 50 Мп + 50 Мп, Snapdragon 8 Elite... (1378)
- США отправят «миссионеров ИИ» по всему миру... (851)
- Новые смартфоны получат «антишпионский... (1138)
- Стилус Samsung Galaxy S26 Ultra не... (1322)
- Сэм Альтман назвал орбитальные дата-центры с... (1253)
- Российский авторынок окреп к концу... (926)
- Глобальный Xiaomi 17 Ultra показали на фото... (913)
- Juno «просветил» Европу: толщина ледяной... (879)
- Grok Imagine Илона Маска опережает все... (1413)
- Обновлённый Haval H3 2026 уже появился у... (949)
- Отменённый компактный флагман снова в игре.... (864)
- «Как в старые добрые времена»: русская... (1245)
- Дешевый смартфон с экраном 90 Гц, батареей... (1316)
- Флагманский смартфон на Snapdragon 8 Elite... (1275)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...