- 60 000 ТБ в объёме 1 литра. Представлено... (1126)
- Весь современный мир искусственного... (1122)
- Сколько осталось до появления полноценных... (1108)
- Настоящие «кибернаушники». Nubia представила... (928)
- Теперь лучший iGPU в классе точно у Intel.... (986)
- В Сколково открылся первый в России кластер... (966)
- В тестах засветился Core Ultra 5 332 всего с... (1227)
- Китай почти догнал США в важнейших научных... (1059)
- Первая игровая приставка на Core Ultra 300.... (989)
- Microsoft хочет свой идеальный ИИ-чип:... (1023)
- Windows 11 теперь прямо пишет, что 8 ГБ... (948)
- «Новый DeepSeek-момент»: первый в мире... (980)
- Марк Цукерберг лично развозил домашний суп... (1047)
- Банк России не будет создавать отдельное... (1086)
- Intel рассчитывает укрепить свои позиции на... (1029)
- Inte рассчитывает укрепить свои позиции на... (975)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...