- В Китае разработали перспективную... (2186)
- АвтоВАЗ такие не выпускает. Глава Lada Sport... (1593)
- Vivo представила смартфоны V70 и V70 Elite с... (2411)
- VK внедрила в поиск визуально‑языковую... (1662)
- Вслед за 3I/ATLAS с Землей максимально... (2250)
- «Мы больше так не делаем»: I*******m не... (1805)
- AMD собирается обновить старые iGPU, добавив... (1722)
- Можно играть, не включая основной дисплей:... (1657)
- Глава OpenAI Сэм Альтман признал, что... (1496)
- «Чип, который поразит мир» пообещал показать... (2402)
- Классическая Lada Niva получила светодиодные... (2221)
- Видеокарты AMD Radeon RX 9000 начали... (1590)
- «Нет слов, чтобы описать, насколько это... (1575)
- «Новый подход в российском... (2218)
- Японская ispace предупреждает о задержках с... (1453)
- Гигантские рентгеновские лазеры впервые... (2237)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...