- Учёные создали новый транзистор, способный... (1403)
- Исполнитель роли Кратоса проговорился, когда... (1727)
- Легендарная «Волга» возвращается: в Нижнем... (1412)
- Nvidia и другие IT-гиганты инвестируют... (1554)
- Google выпустила продвинутую камеру для... (1389)
- «Можно, а зачем?», — АвтоВАЗ превратил мем в... (1825)
- Одноклассник Toyota Camry и Honda Accord за... (2197)
- AMOLED, 120 Гц, оптика Zeiss, IP69 и 6500... (1966)
- «Преднамеренная фабрикация, призванная... (1804)
- Samsung Galaxy S25, Galaxy S23 и другие... (1857)
- Telegram тестирует защиту от пересылки... (1729)
- SSD и HDD — прошлый век. Microsoft... (2402)
- Honor Magic 7 Pro получил MagicOS 10 на базе... (2220)
- Ровер NASA Perseverance теперь сам... (1815)
- Такие модули обычно используют в смартфонах.... (1796)
- Почта Mail.ru вводит плату за использование... (1610)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...