- Возглавить Apple готов один из создателей... (1040)
- Глава Nvidia рассказал, как изобретение... (961)
- У Wikipedia появился свой аналог Spotify... (962)
- По слухам, Apple может покинуть старший... (1047)
- Китай перевёл ракету «Чанчжэн-8А» (Long... (1282)
- Kia ввела скидки до 10 000 долларов на свои... (1702)
- Вилла на колесах с запасом хода 1320 км и... (1314)
- Новая статья: Total Chaos — тот самый... (1068)
- Новая статья: Gamesblender № 755: Electronic... (1014)
- Samsung продолжает безоговорочно... (1309)
- У этой клавиатуры может быть латунный корпус... (1127)
- Память Samsung GDDR7 получила президентскую... (1242)
- Инженеры MIT создали юркого микробота-шмеля... (1129)
- DDR4 против DDR5 в современных играх. Свежие... (1188)
- Apple может потерять ещё одного очень... (1105)
- Даже iPhone 16e продавался лучше любого... (1276)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...