- «Буханка» и «Патриот» подорожали: УАЗ... (2075)
- Samsung начала поставки 34-дюймовых... (2646)
- Китайская космическая компания Landspace... (2091)
- Первый в 2026 году метеорный поток... (2493)
- Прототип частной полупроводниковой фабрики... (2019)
- Акции Kioxia показали рекордную динамику... (2875)
- Apple сократила производство гарнитуры... (2323)
- Neuralink начнёт массовое производство... (1819)
- TSMC идёт с опережением графика. Компания... (2238)
- В Новый год с новыми ценами: GeForce RTX... (2373)
- Сможет ли этот китайский CPU приблизиться к... (2518)
- Geely Monjaro станет роскошью? В России... (2650)
- Всё ещё лишь четыре ядра, но зато с... (2167)
- Xiaomi в этом году выпустит два гибридных... (2503)
- Colorful обновила мировой рекорд по разгону... (1888)
- Samsung тоже расставляет субпиксели в линию.... (1914)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...