- «Пути назад нет»: Google признала интеграцию... (2194)
- Редкий ВАЗ-2101 из первой партии 1970 года... (2456)
- OpenAI идёт за оценкой в $850 млрд: стартап... (2403)
- OpenAI в рамках текущего раунда... (2480)
- Китайский поставщик Chery, Geely и Li Auto... (2432)
- В Россию едет партия Volkswagen Multivan T7... (1740)
- Новый Samsung Galaxy Z TriFold почти за 3000... (2026)
- Google Gemini научился генерировать... (2260)
- У пользователей Google Gemini появилась... (2461)
- Представлен компактный, мощный и дешёвый... (1927)
- Совершенно новый Toyota Land Cruiser FJ... (2529)
- Стадия массового принятия: станции Nio... (2466)
- Большой экран, 7000 мАч, быстрая зарядка и... (1765)
- «Карандаш» Dyson для влажной уборки за 350... (1804)
- Как начался 2026 год для SpaceX: компания... (1746)
- Humain вкладывает миллиарды в xAI Илона... (1670)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...