- Пожизненная гарантия для россиян и полный... (1532)
- «До чего это прекрасно»: новый трейлер... (1481)
- Отечественные рамные внедорожники, похожие... (1470)
- Моторы Mitsubishi, автоматическая коробка ZF... (1454)
- Представлены телевизоры SQD-Mini LED — одни... (1654)
- Nvidia наблюдает высокий спрос на H200 в... (1408)
- Он может готовить, убирать, стирать и... (1523)
- Это Moto Razr Fold. Появились первые... (1416)
- Honor Power 2 с аккумулятором на 10 080 мА·ч... (1616)
- Квадрокамера и нестандартный форм-фактор.... (1752)
- Кадрокамера и нестандартный форм-фактор.... (1494)
- Дженсен Хуанг показал ускорители Rubin на... (1313)
- Глава Nvidia показал на CES 2026 образцы... (1687)
- «Apple без труда изменит правила игры».... (1459)
- Такой экран ожидается в iPhone Fold и... (1415)
- Intel представила мобильные 18-ангстремные... (1302)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...