- Samsung откажется от Galaxy S26? По словам... (570)
- «Яндекс Музыка» без сжатия появилась на... (563)
- Intel наконец-то назвала дату анонса новых... (610)
- Дуров признал, что Telegram с 2018 года... (756)
- Российский лазер для литографии появится... (18818)
- Одно из важнейших обновлений Windows 11... (17802)
- Прототипы складных iPhone не могут... (635)
- Власти РФ пересаживаются на автомобили Aurus... (568)
- Microsoft улучшила поиск в Windows 11 с... (924)
- В России начались продажи смартфона Realme... (1052)
- В России стартовали продажи оригинального... (639)
- Стало известно, когда стартуют российские... (593)
- Представлен лазерный 4K-проектор BenQ... (904)
- Геймплейный показ шутера Chernobylite 2:... (706)
- Главный конкурент Lexus LX подорожал на 1... (722)
- Прощай, Windows. Совершенно новый ноутбук... (639)
У Samsung готов 5-нанометровый техпроцесс FinFET EUV
Дата: 2019-04-16 11:07
Компания Samsung Electronics объявила о завершении разработки 5-нанометрового техпроцесса FinFET EUV. Производитель готов принимать пробные заказы, рассчитанные на эту технологию.
По сравнению с 7-нанометровым техпроцессом, новый обеспечивает повышение плотности компоновки логических цепей на 25% при одновременном снижении энергопотребления на 20% или повышении производительности на 10%.
Как и в случае с 7-нанометровым техпроцессом, для формирования слоя металлизации используется литография в жестком ультрафиолетовом диапазоне. Это позволяет уменьшить число масок и повысить точность.
К важным достоинствам нового техпроцесса производитель относит возможность повторно использовать все объекты интеллектуальной собственности, рассчитанные на нормы 7 нм. Это снижает затраты и ускоряет на переход к более тонким нормам.
Тесное сотрудничество между компанией Samsung и ее партнерами по альянсу Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) сформирована надежная инфраструктура проектирования для нового техпроцесса, включающая все необходимые инструменты. Они стали доступны заинтересованным сторонам еще в четвертом квартале прошлого года. Отметим, что Samsung Foundry предлагает услугу 5nm Multi Project Wafer (MPW), предусматривающую размещение на одной пластине нескольких проектов.
В начале этого года компания Samsung начала серийный выпуск продукции по 7-нанометровой технологии EUV. Кроме того, Samsung сотрудничает с заказчиками, которые хотят использовать 6-нанометровый вариант этого техпроцесса, и уже подготовила к передаче в производство первый проект.
Новые техпроцессы освоены на предприятии S3 в Хвасоне, Южная Корея. Во втором полугодии Samsung планирует освоить EUV на расположенной там же новой производственной линии.
КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
Процессорная система охлаждения Gigabyte Aorus ATC800 весит более 1 кг
Компания Gigabyte представила воздушную процессорную систему охлаждения Aorus ATC800. Она выполнена по классической съеме: теплоотводящее основание шестью тепловыми трубками диаметром 6 мм связано с «башней» из алюминиевых ребер. На радиаторе с двух сторон закреплены вентиляторы. Они и верхняя сторона радиатора прикрыты пластиковыми кожухами. Верхний кожух и вентиляторы...
Новый игровой монитор Acer с поддержкой FreeSync обладает временем отклика в 1 мс
Компания Acer расширила ассортимент мониторов, анонсировав модель VG271Pbmiipx на матрице IPS размером 27 дюймов по диагонали: панель рассчитана на использование в составе игровых систем. Новинка обладает разрешением Full HD — 1920 × 1080 пикселей. Заявлены 99-процентный охват цветового пространства sRGB и поддержка DisplayHDR 400. Технология AMD FreeSync помогает повысить...
Samsung начала принимать заказы на изготовление 5-нм чипов
Компания Samsung вовсю использует преимущество первопроходца полупроводниковой литографии с применением сканеров диапазона EUV. Пока TSMC готовится начать использовать сканеры с длиной волны 13,5 нм в июне, адаптировав их для выпуска чипов в рамках второго поколения техпроцесса с нормами 7 нм, Samsung погружается глубже и заявляет о завершении разработки техпроцесса с...
Ученые определили причины эволюции человеческого лица
Сотрудники Йоркского университета предположили, что эволюция человеческого лица обусловлена потребностью в развитых навыках социального взаимодействия, с которой столкнулись наши далекие