- В России начали выпускать совершенно новую... (792)
- «Мы попытаемся выкинуть дешевые пластиковые... (761)
- У Индии появится своё полупроводниковое... (775)
- Потенциальный суперфлагман Xiaomi 15 Ultra... (745)
- «Букмейт» сменил название на «Яндекс Книги».... (731)
- 600 лошадиных сил с мотора объемом 2,0 литра... (753)
- Аналог Toyota Alphard и бестселлер Denza... (739)
- Цукерберг стал четвертым человеком в мире с... (778)
- «Такие кражи примитивны, но эффективны», —... (724)
- VK и Telegram лидируют по объёму мобильного... (640)
- Разработчика процессоров «Эльбрус» передали... (764)
- На заводе CATL, который поставляет... (671)
- В России зафиксирован абсолютный рекорд по... (825)
- Новая статья: Обзор QD-OLED 4K-монитора... (849)
- В «Телемосте» Яндекса появились видеовстречи... (800)
- Дилеры уже переписали цены на Toyota Land... (744)
У Samsung готов 5-нанометровый техпроцесс FinFET EUV
Дата: 2019-04-16 11:07
Компания Samsung Electronics объявила о завершении разработки 5-нанометрового техпроцесса FinFET EUV. Производитель готов принимать пробные заказы, рассчитанные на эту технологию.
По сравнению с 7-нанометровым техпроцессом, новый обеспечивает повышение плотности компоновки логических цепей на 25% при одновременном снижении энергопотребления на 20% или повышении производительности на 10%.
Как и в случае с 7-нанометровым техпроцессом, для формирования слоя металлизации используется литография в жестком ультрафиолетовом диапазоне. Это позволяет уменьшить число масок и повысить точность.
К важным достоинствам нового техпроцесса производитель относит возможность повторно использовать все объекты интеллектуальной собственности, рассчитанные на нормы 7 нм. Это снижает затраты и ускоряет на переход к более тонким нормам.
Тесное сотрудничество между компанией Samsung и ее партнерами по альянсу Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) сформирована надежная инфраструктура проектирования для нового техпроцесса, включающая все необходимые инструменты. Они стали доступны заинтересованным сторонам еще в четвертом квартале прошлого года. Отметим, что Samsung Foundry предлагает услугу 5nm Multi Project Wafer (MPW), предусматривающую размещение на одной пластине нескольких проектов.
В начале этого года компания Samsung начала серийный выпуск продукции по 7-нанометровой технологии EUV. Кроме того, Samsung сотрудничает с заказчиками, которые хотят использовать 6-нанометровый вариант этого техпроцесса, и уже подготовила к передаче в производство первый проект.
Новые техпроцессы освоены на предприятии S3 в Хвасоне, Южная Корея. Во втором полугодии Samsung планирует освоить EUV на расположенной там же новой производственной линии.
КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
Процессорная система охлаждения Gigabyte Aorus ATC800 весит более 1 кг
Компания Gigabyte представила воздушную процессорную систему охлаждения Aorus ATC800. Она выполнена по классической съеме: теплоотводящее основание шестью тепловыми трубками диаметром 6 мм связано с «башней» из алюминиевых ребер. На радиаторе с двух сторон закреплены вентиляторы. Они и верхняя сторона радиатора прикрыты пластиковыми кожухами. Верхний кожух и вентиляторы...
Новый игровой монитор Acer с поддержкой FreeSync обладает временем отклика в 1 мс
Компания Acer расширила ассортимент мониторов, анонсировав модель VG271Pbmiipx на матрице IPS размером 27 дюймов по диагонали: панель рассчитана на использование в составе игровых систем. Новинка обладает разрешением Full HD — 1920 × 1080 пикселей. Заявлены 99-процентный охват цветового пространства sRGB и поддержка DisplayHDR 400. Технология AMD FreeSync помогает повысить...
Samsung начала принимать заказы на изготовление 5-нм чипов
Компания Samsung вовсю использует преимущество первопроходца полупроводниковой литографии с применением сканеров диапазона EUV. Пока TSMC готовится начать использовать сканеры с длиной волны 13,5 нм в июне, адаптировав их для выпуска чипов в рамках второго поколения техпроцесса с нормами 7 нм, Samsung погружается глубже и заявляет о завершении разработки техпроцесса с...
Ученые определили причины эволюции человеческого лица
Сотрудники Йоркского университета предположили, что эволюция человеческого лица обусловлена потребностью в развитых навыках социального взаимодействия, с которой столкнулись наши далекие