- Dreame хочет стать второй Xiaomi: компания... (2292)
- Гигантский аккумулятор 10080 мАч в тонком... (2213)
- Владивостокская таможня побила рекорды по... (1886)
- Илон Маск заявил, что Tesla Model Y остаётся... (1815)
- На российских ракетах теперь можно размещать... (1825)
- Huawei Pura 90 получит новый 1-дюймовый... (1844)
- В Китае представили Geely Emgrand за 72,9... (1820)
- Электронная бумага вместо OLED: новый Dasung... (1745)
- Space Forge запустила космическую печь для... (1816)
- Китайский производитель памяти CXMT... (1961)
- TSMC тоже получила лицензию на право... (2108)
- AOC выпустит в январе монитор AGON PRO... (2052)
- Новая статья: Итоги 2025-го: ИИ-лихорадка,... (2391)
- В Китае к сети подключили крупнейшую в мире... (2210)
- Норвежцы придумали опустить опреснители на... (2231)
- «До чего удручающее начало года»: Sony... (2163)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...