- Финляндия создаёт экспертную группу по... (4550)
- NASA запустило в Калифорнии 34-метровую... (4731)
- 85% экспертов по нацбезопасности требуют... (4718)
- Индийцы создают дрон, который сможет летать... (4616)
- США и Китай готовятся к диалогу по... (4410)
- ИИ-мошенничество стало более убедительным и... (4816)
- Совершенно новый Freelander 8 вышел в... (4665)
- IPO Anthropic сдвигается на середину... (4568)
- ByteDance заняла $29,6 млрд одним кредитом —... (4408)
- Аккумуляторному гиганту понадобилось еще... (4282)
- Thinking Machines Lab Миры Мурати ведёт... (4983)
- США испытали спутник-инспектор, способный... (4540)
- В 2029 году АвтоВАЗ выпустит обновленную... (3345)
- 24-ядерный Core i9 и профессиональная Nvidia... (3042)
- На Землю упал (2937)
- Каждую букву ДНК известнейшего вируса... (3350)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...