- Китайские аккумуляторы в электромобилях... (2122)
- Один из ярчайших представителей класса Gran... (2099)
- DapuStor и ZTE внедряют в дата-центрах SSD с... (2128)
- Новая статья: Обзор робота-уборщика ECOVACS... (1857)
- В историю XVII века теперь можно погрузиться... (2164)
- GeForce RTX 5090 за 5000 долларов? Nvidia и... (2347)
- Создана роботизированная кожа, позволяющая... (2466)
- Не у всех оно вертится: первые покупатели... (2256)
- Samsung Galaxy A57 и Samsung S26 FE могут... (2561)
- Россияне стали экономить на наушниках —... (1937)
- Неизвестный украл у Европейского... (3186)
- УАЗ на «автомате» и мотором от... (2477)
- MediaTek представила Dimensity 7100 — 6-нм... (1965)
- Мозг пассажира включили в контур управления... (2303)
- В Китае создали самую мощную в мире... (2263)
- Роскошный 1400-сильный Zeekr 9X (первое авто... (2006)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...