- Новые принципы компоновки чипов позволили... (2585)
- 144 Гц, батарея на 7100 мА•ч, четыре камеры... (2888)
- Конкурент Mercedes-Benz GLC и Audi Q5L. BMW... (2567)
- Windows 11 будет хорошо работать даже на 8... (2665)
- Индия готовит зачистку сетей от Huawei и ZTE... (2734)
- Мини-ПК за $140 получил Ryzen 3 и два... (2739)
- 4-дюймовый экран E Ink, Linux и физические... (2966)
- 19-й полёт для этой ракеты Falcon 9 и 103-й... (2812)
- Европа получила нового конкурента SpaceX —... (2882)
- Лучше, чем у Samsung Galaxy S26 Ultra.... (2522)
- Новые версии Huawei Pura X Max показали... (2501)
- Наращивание поставок Nvidia Rubin позволит... (2599)
- Российский заменитель Boeing 737 и Airbus... (2489)
- «Я готов». За несколько дней до анонса... (2486)
- Xiaomi продала 800 000 автомобилей... (3488)
- За несколько часов до презентации Xiaomi 18... (3017)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...