- Успешная замена Chery: отечественный Tenet... (2092)
- Нашлась единственная уцелевшая копия ОС Unix... (3409)
- Альтернатива Hyundai Creta за 2,9 млн:... (3223)
- Яндекс запустил бета-версию «Радио»: более... (2914)
- Xiaomi 17 Ultra анонсирован для мирового... (2835)
- «Яндекс Go» теперь можно покупать абонементы... (3832)
- В России представили гибридный внедорожник... (2688)
- Крупнейший солнечный телескоп Евразии,... (3523)
- Самый популярный контентный бот в Telegram:... (2607)
- Xiaomi 17 Ultra Leica Edition вызвал большой... (2759)
- Плюс полтриллиона долларов за год: ИИ-бум... (3323)
- Самый длинный в мире скоростной тоннель... (3862)
- Крупнейшие операторы вернули россиянам... (3381)
- Первый запуск российской ракеты «Союз-5»... (3542)
- Исследование показало, на какие игры в 2025... (2793)
- Редчайший ВАЗ-2106 времён СССР в состоянии... (2165)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...