- Представлен Samsung Galaxy Book6 — конкурент... (4461)
- Первый в истории выход Starship на орбиту и... (4707)
- Redmi 17 с батареей 7500 мА·ч вышел в России... (5496)
- TP-Link представила первые в мире роутеры... (4824)
- Vivo X500 Pro замедлит время: смартфон... (5045)
- Чище, чем до появления космодрома. SpaceX... (5677)
- «Текнолоджия»: после слов «в Пакистане точно... (4882)
- SpaceX готовится отправить Falcon Heavy на... (4627)
- Nvidia RTX 50 дорожают в Европе: некоторые... (5719)
- В России запустили цифровой... (4952)
- Два независимых барабана, 34 программы и... (5778)
- Samsung может отказаться от 5-кратного зума... (5819)
- Российский «Киноспутник» с камерой... (5549)
- 200 Мп, перископ с 3-кратным зумом и... (4943)
- Огромная батарея 7050 мА•ч и изогнутый... (5014)
- Цены на смартфоны Huawei, Xiaomi, Honor... (5571)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...