- Запуск ракеты «Союз-5» намечен на 2026... (2190)
- «Союз-5» не взлетит в 2025 году, как... (2433)
- Продукцию «с российскими корнями» хотят... (2608)
- Fujitsu участвует в разработке более... (2854)
- «Никакой упрощённой или казуальной версии»:... (2455)
- Россия вложит еще $9 млрд в «Аккую»: первый... (2705)
- В России образовался дефицит Belgee S50 и... (2799)
- Замена Starlink из Поднебесной. На орбиту... (3901)
- Ноутбуки дешевеют вопреки рынку: Apple,... (2855)
- TSMC заявила, что её китайские клиенты... (2578)
- Soueast S06 для России — пока что загадка:... (2784)
- Ракету «Союз-2.1б» установили на стартовую... (2732)
- Аренда шести роботов обойдётся китайским... (2439)
- Модернизированная Lada Niva Travel с мотором... (3691)
- Десять бывших сотрудников Samsung арестованы... (2395)
- Всего 2,6 млн рублей за новейший гибрид... (2415)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...