- Мощный мини-ПК за 2500 долларов размером с... (2807)
- В Китае представили и запустили двигатель... (2307)
- Проблемы лидера рынка. У TSMC заметно растут... (2864)
- Для тех, кому важны автономность и камера, а... (3052)
- Китайские только формально: в Калуге, где... (2966)
- Спутники на 66 млрд рублей: новые аппараты... (2494)
- В следующем году 20 % производства памяти... (2962)
- Каждый пятый чип памяти DRAM, выпущенный в... (2877)
- Запущена DWDM-магистраль... (2382)
- Каждый пятый чип памяти DRAM теперь уходит... (3044)
- Первые тесты уникального Ryzen 9 9950X3D2 с... (2496)
- Абсолютно новый российский грузовик для... (2519)
- 7000 мАч, 200 Мп основа, 50-мегапиксельный... (3284)
- До 2048 TOPS и 204 ГБ/с. Дочерняя компания... (2896)
- EHang приступила к серийному производству... (2647)
- Платформа Exynos 2600 использует архитектуру... (3582)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...