- Карточный роглайк Slay the Spire установил... (2534)
- Disco Elysium стала новой бесплатной игрой в... (2419)
- Астронавты NASA и JAXA передали... (3487)
- «Тарков 2.0», аддон «Жизнь Дикого» и... (2203)
- Nvidia протестировала техпроцесс Intel 18A и... (2552)
- Установлен новый красивый рекорд по... (3715)
- Создана первая в истории симуляция настоящей... (2464)
- Core Ultra 7 270K Plus теперь тоже флагман.... (3986)
- Intel предложит больше процессора за те же... (2819)
- Два цилиндра сверху, три — снизу:... (2159)
- Очередное научное исследование показывает... (2367)
- 10 050 мАч, никакого AMOLED и «мягкий» экран... (3713)
- Новый кроссовер Mazda EZ-60 появился у... (3669)
- Является ли хот-дог сэндвичем? AMD локально... (2740)
- В продаже появился «секретный» Aurus Senat:... (2362)
- Сначала пристыдила Dell за цены, а теперь... (2508)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...