- Цены на DDR4 взлетели до 60 долларов за 16... (3776)
- iPhone станет более американским —... (3610)
- У дилеров и в мультибрендовых салонах... (2774)
- Lenovo готовит ноутбуки ThinkPad и ThinkBook... (2454)
- Apple Intelligence придётся правильно... (2985)
- Российская замена Chery, которая не удалась.... (3525)
- Amazon пока не решила, что делать с... (2395)
- Последний запуск 2025 года: на Восточном... (2379)
- Внезапно сломавшийся спутник Starlink... (2507)
- Никакой DDR5, топовый чипсет и всего за 110... (2361)
- Bethesda успокоила фанатов насчёт будущего... (2174)
- Huawei показала устройство в форме буквы Х.... (3871)
- «Бюро 1440» проведёт спутниковый интернет в... (2580)
- 144-герцевый IPS-монитор дешевле 90... (2734)
- Huawei и GAC показали первый автомобиль под... (2646)
- Капитальные затраты гиперскейлеров в 2026... (2631)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...