- Стартовали продажи нового флагманского Geely... (2571)
- Grok Илона Маска признан самым точным... (2470)
- OpenAI тестирует «навыки» ChatGPT по образцу... (3283)
- Первый смартфон с батареей более 10 000 мАч:... (2994)
- Европа буксует на «зелёном» повороте:... (2459)
- Судьбу Intel определила 40-минутная встреча... (2443)
- Xiaomi представила настольную акустику Redmi... (2776)
- Финальный в 2025 году российский пуск: с... (3515)
- Эти автомобили продаются в России официально... (2382)
- Lada Niva Travel с новым мотором 1,8 л... (3236)
- Рождественское «чудо»: BTC сложился с 88 000... (2426)
- «Парадоксальную» Fermi America подозревают в... (3288)
- В Санкт-Петербурге любят Zeekr: машины... (3471)
- OnePlus официально рассекретила «сверхновую... (2489)
- Samsung Galaxy Z TriFold выдержал 144 000... (2594)
- Новый аккумулятор вместо батарейки AA,... (2722)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...