- Считавшаяся утерянной легендарная ОС UNIX V4... (3257)
- Volvo прощается с универсалами: V60 Cross... (3359)
- Редчайшую Lada (ВАЗ) 2121 первого поколения... (3687)
- АвтоВАЗ раскрыл новинки Lada 2026... (2212)
- Культовый мод «Хроники Миртаны: Архолос» для... (3260)
- «Lifestyle 2.0. Новогодний»: в России... (2570)
- Samsung Wide Fold подозрительно напоминает... (3479)
- Snapdragon 8 Gen 5, 7600 мАч, IP68/IP69, 200... (3515)
- Не только топовая камера: Xiaomi 17 Ultra со... (2621)
- Рост цен на DRAM чуть замедлился к концу... (3395)
- Эти 25 устройств Xiaomi, Redmi и Poco готовы... (2595)
- Xiaomi Watch 5 выходят на новый уровень:... (2434)
- Новые кондиционеры, экраны и освещение.... (2326)
- Презентация Xiaomi 17 Ultra состоится через... (2223)
- Экраны, которые складываются вчетверо, и... (2203)
- «М.Видео» начал продавать автомобили с ДВС:... (3211)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...