- Майнеры массово перепрофилируют криптофермы... (3856)
- От биомедицины до аэрокосмической отрасли: в... (2411)
- Швейцарские учёные создали мягкого робота с... (2489)
- Xiaomi 17 Ultra станет дороже в производстве... (2921)
- Microsoft сменит язык: миллионы строк кода... (2628)
- Limited Edition: УАЗ готовит доработанные... (2363)
- В России готовится к запуску компактный... (4030)
- Samsung тестирует One UI 8.5 уже на двух... (3628)
- В российских поездах появится спутниковый... (3710)
- Cyberpunk 2077 для Switch 2 случайно... (2255)
- Cyberpunk 2077 для Switch 2 случайно... (3969)
- Hyundai Atlas готов к работе — и это не... (2556)
- Хакеры перешли от кражи данных к выжиганию... (3578)
- Intel построила в Аризоне более крупную и... (3789)
- Новые клавиатуру и мышь Lenovo не нужно... (2787)
- Belgee отмечает: 14-летие производителя авто... (3496)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...