- В России готовится к запуску компактный... (4051)
- Samsung тестирует One UI 8.5 уже на двух... (3637)
- В российских поездах появится спутниковый... (3717)
- Cyberpunk 2077 для Switch 2 случайно... (2265)
- Cyberpunk 2077 для Switch 2 случайно... (3987)
- Hyundai Atlas готов к работе — и это не... (2569)
- Хакеры перешли от кражи данных к выжиганию... (3586)
- Intel построила в Аризоне более крупную и... (3804)
- Новые клавиатуру и мышь Lenovo не нужно... (2795)
- Belgee отмечает: 14-летие производителя авто... (3519)
- В 2025 году хакеры установили рекорд по... (2666)
- SpaceX ускорилась: Super Heavy нового... (3038)
- Гибридные Toyota Camry и Corolla Cross могут... (2958)
- Илон Маск думает не только о Марсе, создавая... (2303)
- Планы Маска по колонизации Марса уже... (3576)
- UAZ Limited Edition: УАЗ анонсировал... (2499)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...