- Планшеты HONOR Pad в 2025 году: нейросети,... (3077)
- Смартфоны Samsung наконец-то научатся... (3722)
- Россияне увидят два затмения в 2026... (2276)
- 6000 ANSI люмен и 300 дюймов: Представлены... (3553)
- Больше не нужно тыкать в экран: Xiaomi 17... (3383)
- Вдвое дешевле, чем в России: Chevrolet... (3540)
- 185 Гц, 10 000 мА·ч, 100 Вт, IP69K и... (2522)
- Браузерная версия GTA: Vice City разозлила... (2782)
- Li Auto готовит смену флагмана: Li L8... (3651)
- 800 л.с. и 380 км/ч: российский суперкар... (3600)
- Новые игровые ноутбуки Redmi не будут... (3043)
- Первый смартфон 2026 года с экраном без... (3715)
- Аналог Toyota Alphard с местной сборкой и... (2623)
- Western Digital: HDD сохранят актуальность... (2857)
- Россия запустила проект лунной... (4022)
- США снова нацелились на Xiaomi: компанию... (2848)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...