- Китайский премиум-кроссовер с полным... (2502)
- Ушёл из Intel в AMD, а теперь из AMD в... (2476)
- Xiaomi 17 Ultra засветился на качественных... (2996)
- 200-мегапиксельная камера Leica на дюймовом... (4043)
- Очень быстрые SSD, но без какого-либо... (3858)
- Обновлённый Hyundai Staria вышел на рынок:... (2733)
- Недорогие двухкамерные ПК-корпуса с кучей... (3278)
- И так сойдёт: лень и безалаберность... (3393)
- Honda Accord 2026 представили в США:... (2337)
- Совершенно новому Toyota RAV4 добавили... (3359)
- Asus анонсировала 120-мм вентилятор ProArt... (2259)
- Память HBM4 от Samsung получила высшие... (2152)
- Назад в 80-е: новая Hyundai Sonata получит... (4007)
- Samsung обогнала Micron и вернула себе... (2187)
- В США в 2025 году сократили 55 тысяч рабочих... (3823)
- AMD опубликовала первые детали о Zen 6 —... (3784)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...