- NASA переоборудовало «Астрован II» компании... (2616)
- Toyota RAV4 существенно подорожал в России.... (3110)
- Очень редкая видеокарта Asus ROG Matrix RTX... (3405)
- Пожароопасный разъём 12V-2x6 на системной... (3821)
- Очень быстрый монитор для киберспортсменов,... (2600)
- Эра дешевых смартфонов закончилась? В Honor... (2498)
- Больше никаких зеленых прямоугольников... (2345)
- Запрет AMD искусственный? Энтузиасту удалось... (3361)
- На ступень выше Honor Magic 8 Pro: Honor... (2446)
- Геймерам пора прощаться с 32-битной Windows.... (2707)
- Шестой год подряд Samsung выпускает Galaxy... (2456)
- Как Toyota Corolla, только без экспериментов... (2445)
- Мощность DDoS-атак впервые пробила барьер в... (2133)
- От 3,4 до 5,4 млн рублей: названы 5 самых... (2878)
- Опубликовано фото «аномального» спутника... (2773)
- OLED панели оказались надежнее обычных LCD:... (2949)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...