- Назад в 80-е: новая Hyundai Sonata получит... (4018)
- Samsung обогнала Micron и вернула себе... (2197)
- В США в 2025 году сократили 55 тысяч рабочих... (3833)
- AMD опубликовала первые детали о Zen 6 —... (3794)
- Редкую Lada Tarzan 2 продают за 650 тыс.... (2385)
- Пользователь покупал обычные GeForce RTX... (2564)
- 190 л.с. и 8-ступенчатый «автомат» — за 28,8... (3899)
- Это уникальный концентрический... (3785)
- Продажи Land Rover в России в 2025 году... (2039)
- Клиент Steam стал 64-битным — поддержка... (4039)
- Мошенники маскируют DDR4 под DDR5: новый... (3259)
- Первый в мире бензиновый авто с HarmonyOS... (3035)
- Оказалось, что машины ASML для производства... (2931)
- Разработчики Lenovo Legion Go 2 могут... (2838)
- Для Nintendo Switch 2 могут появиться... (3540)
- Как китайские компании получают доступ к... (2786)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...