- «Идентифицировать, что сим-карта не... (2563)
- Первая в мире 2-нанометровая платформа для... (2702)
- Большое обновление для электричек: в «Яндекс... (3085)
- «Немецкая тройка» резко ускорилась в России:... (2040)
- Выбираем гаджеты в подарок к Новому году с... (1951)
- «Яндекс Станция 3» — умная колонка с... (2886)
- Редчайший «Гелик» AMG из 90-х без пробега... (2430)
- «Альфа-Банк» с оплатой через iPhone снова в... (2078)
- Особая категория авто: с 1 января 2026 года... (3114)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS прошла точку... (2344)
- Riot подтвердила работу над секретным... (2386)
- В России начнут собирать новые автомобили с... (2917)
- США намерены вернуться на Луну к 2028 году,... (2527)
- «Глаза» на орбите: снимки с новейших... (2739)
- Первая в мире линия сборки аккумуляторных... (2679)
- Новое поколение монстров автономности:... (2583)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...