- Micron предсказала рост рынка памяти HBM до... (3453)
- Micron прямо говорит: дефицит памяти... (3092)
- Акции американских бигтехов обвалились после... (3998)
- «Яндекс» выпустит беспроводные наушники с... (2197)
- Россияне в этом году массово меняли сотовых... (3971)
- Немерцающие экраны и аккумуляторы ёмкостью... (3542)
- iRobot признала фатальные ошибки, но слишком... (2488)
- OpenAI запустила магазин приложений в... (3947)
- OpenAI запустила магазин приложений в... (2978)
- Apple запустила разработку iMac с экраном... (2888)
- Очень редкий зверь: MaxSun системную плату... (2907)
- Это первые изображения складного iPhone. В... (3988)
- Илон Маск заявил, что xAI может создать... (2636)
- Подозрительно похожий на Horizon Zero Dawn... (3745)
- Совместные испытания YADRO и «Т1 Интеграции»... (3446)
- Новейший Core Ultra 7 355 в ноутбуке всего... (3020)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...