- В России введут электронные студенческие... (3070)
- В конце 2025 года Windows Server 2025... (3254)
- «Манхэттенский проект» по-китайски: в Китае... (3074)
- «Семёрка» не только не сдаёт позиции, но и... (4008)
- Аудитория Telegram выросла до рекордных 105... (2874)
- В январе Honda приостановит выпуск... (3021)
- Маленькие экраны не зашли: в 2026 году... (4464)
- Snapdragon 8 Elite Gen 5, 200 Мп, батарея... (4097)
- Ещё одна страна заставила Apple открыть... (2489)
- Искусственный ажиотаж? Смартфоны Samsung... (4289)
- Xiaomi Power Bank 10000 с экраном,... (3195)
- Когда новые машины не по карману: Volkswagen... (3740)
- Пикап Bolden S7 и обновлённый U70 уже в 2026... (2684)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS перешла в... (2648)
- В Петербурге, где собрали первые российские... (2676)
- От 3,5 млн рублей. Дилеры ждут новые... (4140)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...