- После 12 лет ожидания Microsoft наконец... (2265)
- Московский суд оштрафовал Telegram, Twitch и... (2857)
- Продажи геймерских устройств рухнули в США... (2071)
- Рынок оборудования для производства... (2868)
- Учёные создали 3D-принтер для печати изо... (2347)
- OpenAI наняла бывшего канцлера британского... (2665)
- MediaTek всё ещё выпускает самые популярные... (2621)
- «Джеймс Уэбб» открыл невозможную планету —... (2117)
- Xiaomi и Honor подняли цены на планшеты... (2775)
- Полноценный игровой компьютер с 24-ядерным... (2268)
- Складной iPhone будет в дефиците минимум... (2356)
- Легендарная GTA: Vice City теперь доступна и... (3027)
- Разморозка «Госуслуг» после блокировки... (2597)
- «Буханка» и «Патриот» тянут УАЗ, но им... (2509)
- Национальный мессенджер Max приравняли к... (2827)
- 200 Мп, 6500 мАч, 100 Вт, IP69K и «связь без... (3591)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...