- Птичка никуда не улетала: соцсеть X подала... (4252)
- По требованию пользователей: в «Яндекс... (3162)
- AMD представила новую недорогую видеокарту с... (3731)
- Denza N9 официально выйдет в Узбекистане:... (2754)
- Российские астрономы первыми обнаружили... (3484)
- На дорогах Китая появились... (2578)
- Аналог GPS расширился, Европа улучшила свою... (2583)
- Китайцы показали твёрдотельные аккумуляторы... (4097)
- «Firefox вырастет из простого браузера».... (3995)
- Завирусившийся российский симулятор... (2536)
- «Волга» переродится с полным приводом и... (3935)
- Korea Zinc при поддержке Министерства... (2870)
- Российский мессенджер Max продвигают в... (3625)
- Все мощности TSMC по техпроцессу 2 нм... (3138)
- «Москвич М70» и «Москвич М90» формируют... (3318)
- Apple заметно «прокачает» следующий iPad... (3065)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...