- Intel показала путь к посткремниевым... (2853)
- Из Just Cause 3 наконец удалили Denuvo, хотя... (2831)
- Телевизоры обвинили в тайной слежке за... (3011)
- Max Space планирует запустить коммерческую... (2609)
- Вера в ИИ и Маска затмила провалы и... (3460)
- Нейросеть GigaChat Сбера выпустилась из... (3055)
- В Wildberries показали роборуку, которая... (3480)
- Доступный флагман OnePlus 15R на Snapdragon... (3725)
- Warhammer 40,000: Mechanicus 2 по... (4318)
- Два ядра и 1 ГГц: Индия создала собственный... (6964)
- Хакеры взломали Pornhub и теперь угрожают... (4413)
- Новая европейская тяжёлая ракета Ariane 6... (3223)
- Обнаружен коммерческий вредонос Cellik — он... (3013)
- Польская компания Goodram представила SSD,... (2865)
- Kioxia запустит производство 332-слойной... (4555)
- В США начали расследование по поводу влияния... (4441)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...