- На бывшем заводе Hyundai в России собрали... (4491)
- Земля оказалась на пороге гибели... (3306)
- Новый трейлер раскрыл, когда живописная... (4519)
- Новая реальность: свежий Mercedes-Benz CLA... (4628)
- Прорыв в технологии твердотельных батарей:... (3332)
- Обнаружен человек или кот забрался в... (2825)
- Россияне активно покупают мотоциклы: продажи... (2765)
- «Покупать такое нельзя»: российский... (3675)
- 2 нм нарасхват: самые передовые линии TSMC... (3408)
- Apple хочет наладить выпуск чипов для iPhone... (2579)
- Отечественным мессенджером Max пользуется... (2894)
- Google превратила Gemini в фабрику... (2686)
- Nvidia собирается на 30-40% снизить объёмы... (2266)
- На пути к триллиону: cостояние Илона Маска... (3362)
- Инвесторы сходят с ума от ИИ: акции... (2849)
- Новый мини-ПК Lenovo стоит от 240 долларов в... (4102)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...