- Космические спутники целенаправленно... (2671)
- 7000 мАч, 60 Вт, экран 120 или 144 Гц,... (4275)
- Каждый четвёртый автомобиль — Lada: АвтоВАЗ... (3269)
- Телевизор TCL 65C8K Премиум QD-Mini LED —... (3284)
- Xiaomi впервые подтвердила HyperOS... (4362)
- Других таких мониторов не существует. HKC... (4184)
- «Уже слышу, как плачет мой кошелёк»: Valve... (3067)
- Google будет отъедать долю у Nvidia?... (2867)
- RTX 5090 с 24 ГБ памяти в кармане. На... (3535)
- Ракета Atlas V успешно вывела на орбиту 27... (3239)
- Bungie уточнила, когда выйдет Marathon:... (3456)
- Ford придумала, куда девать ставшие лишними... (4820)
- Стало известно, над чем работает Apple:... (3731)
- 200-герцевые смартфоны на... (3518)
- Китай запускает городские полигоны для... (4709)
- Недорогой Xiaomi Redmi Note 15 5G будет... (3018)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...