- Индия разработала свой первый двухъядерный... (3042)
- Цена такая, будто бы катастрофы на рынке... (3102)
- Это первый в мире компьютер, разработанный... (5004)
- Lada Iskra уже готовят к апгрейду:... (3001)
- Geely Monjaro вылетел из топ-20, зато Geely... (2633)
- Apple обойдёт Samsung, и эти две компании... (4709)
- Самая маленькая GeForce RTX 5070 на рынке.... (4365)
- А вот и новый внедорожник, который запускают... (3467)
- Заказал DDR5, а получил DDR2 в камуфляже.... (3358)
- Новую ключ-карту Lada Vesta 2026 нельзя... (2863)
- Ford заходит на рынок хранения энергии для... (4609)
- Российская версия кроссовера Jaecoo J6... (3126)
- Большой багажник, панорама, внешняя лампа,... (3397)
- На Amazon всплыли поддельные DDR5 — это DDR2... (3014)
- Дефицит памяти вдохнул в Socket AM4 новую... (4228)
- Таких «Москвичей» ещё не было. «Москвич М70»... (2959)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...