- Межзвёздная комета 3I/ATLAS засветилась в... (2872)
- Стиль, 200 Мп и аккумулятор 7000 мАч с... (5021)
- В России начнут выпускать клон Iveco Fidato:... (3349)
- 53-летний интерфейс GPIB наконец-то получил... (3738)
- Аудитория философского выживания The Alters... (3001)
- JEDEC почти завершила разработку SPHBM4 —... (3310)
- Крыс научили «играть» в Doom. Проект Rats... (3975)
- Китайские производители смартфонов тестируют... (3708)
- Китайские производители смартфонов тестируют... (3356)
- Учёные пересмотрели состав Урана и Нептуна:... (3690)
- На телевизорах LG самостоятельно появился... (3217)
- «Слишком много власти в одних руках»:... (3293)
- OnePlus померяется с Xiaomi, чей Turbo... (2593)
- Вскоре на рынке могут появиться процессоры... (3703)
- SK hynix планирует, что дефицит... (3545)
- SpaceX совершила 550-ю успешную посадку... (3472)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...