- Apple тоже придётся повышать цены на... (3393)
- Конкурент iPhone 17 Pro Max и Galaxy S25... (3656)
- Популярные смартфоны Samsung линейки Galaxy... (4172)
- Mobvoi TicNote Pods — первые в мире наушники... (4390)
- Благодаря Samsung новые чипы Snapdragon и... (3236)
- Vivo решила выйти на рынок камер вне... (4893)
- Не менее 8500 мАч, но теперь без... (4112)
- Прокуроры 20 штатов США подали в суд на... (3036)
- Из кухни к конвейеру: 10 000... (2988)
- Cisco вернулась на вершину: акции компании... (2874)
- Огромная презентация Xiaomi рассекречена:... (3097)
- Turbo-удар: новая серия OnePlus выйдет... (3416)
- Экраны двух размеров, 5600 мАч, защита... (4352)
- Очень яркий OLED-экран, уникальный дизайн и... (3412)
- Памятный обвал 2026: смартфоны с 16 ГБ ОЗУ... (2849)
- Суперхит Huawei Mate 80 стал ещё интереснее... (3297)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...