- OnePlus померяется с Xiaomi, чей Turbo... (2608)
- Вскоре на рынке могут появиться процессоры... (3717)
- SK hynix планирует, что дефицит... (3556)
- SpaceX совершила 550-ю успешную посадку... (3489)
- Китай сократил отставание от США в гонке ИИ... (3992)
- Катафорезное грунтование, герметизация швов,... (2978)
- Beelink ME Pro: компактный NAS с тремя M.2... (3492)
- Совершенно новый Kia Seltos показали на... (2890)
- Не хуже Solaris KRX и «Москвича 3»:... (3366)
- Volkswagen впервые за 88 лет закроет... (3527)
- Покупка SambaNova Systems может помочь Intel... (3965)
- 7-местный кроссовер российской сборки SWM... (3584)
- Google представила бета-версию перевода в... (3504)
- Китай создаст первое в мире судно на... (3496)
- «Роснано» подала миллиардный иск к бывшим... (3521)
- Apple тоже придётся повышать цены на... (3421)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...