- Google рискует нарваться на огромный штраф,... (8507)
- Популярность ДВС в мире растёт, а Xiaomi уже... (3497)
- В Android теперь можно транслировать видео... (4179)
- Tesla против Waymo: Маск заявил, что у... (3890)
- Рамный внедорожник, который продаётся в... (3608)
- Автомобили с двигателями внутреннего... (3865)
- Крупнейшее IPO в истории состоится: Илон... (3130)
- Французский суд арестовал местное имущество... (3672)
- В США создали лучший анод для литиевых... (3117)
- Телевизор массой 175 кг, который состоит из... (4060)
- Он обошел по времени работы даже новый... (3676)
- На мировой рынок выходит новый монитор... (3565)
- Более доступные — не значит «дешёвые».... (3261)
- «Алиса» подскажет: в «Яндекс Картах»... (3564)
- Круглосуточно, без выходных, 365 дней в... (3176)
- В следующем году Kioxia начнёт производство... (4864)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...