- Импорт подержанных авто из Белоруссии в... (3218)
- Последняя версия чат-бота DeepSeek настолько... (3524)
- «Одно из важнейших направлений в науке»:... (3440)
- Американские инвесторы завалили китайских... (2822)
- В I*******m теперь можно настраивать... (3221)
- Чтобы не переслушивать «Войну и мир» с... (3165)
- Похоже, следующей Tomb Raider будет новый... (3409)
- Полноприводный Changan CS75 Plus в России... (3054)
- «Карманный ИИ-суперкомпьютер» Tiiny AI... (3238)
- Редчайшие Lada Iskra SW «Фламенко» прибыли к... (2934)
- Слухи: неанонсированное сюжетное дополнение... (3221)
- «Поставь что-нибудь душевное»: в Spotify... (3636)
- Google начнёт показывать больше ссылок на... (3444)
- В России готовится к выходу новый седан на... (3490)
- Самое масштабное сокращение штата в истории:... (3413)
- Защищённые смартфоны Doogee S200 VIP Edition... (3818)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...