- Базовый Apple iPad станет намного... (2528)
- В России появилась технология получения... (2671)
- Пока одобрены только Huawei и Cambricon.... (2991)
- AMD представила две видеокарты с 32 ГБ... (3229)
- АвтоВАЗ объяснил, почему брак в новых Lada... (3624)
- Повеяло духом Sony Ericsson Xperia Play... (2837)
- В этот 1-литровый мини-ПК FEVM FX-EX9... (2816)
- TSMC передумала выпускать 6-нм чипы в... (2918)
- «Алиса» в Telegram и Max переехала на самую... (4013)
- «Играть практически невозможно»: покупатели... (2714)
- Micron тоже будет выгоднее выпускать DDR5,... (2865)
- Очень высокая плотность пикселей, но даже... (3465)
- Обновлённый Geely Monjaro выходит в... (2729)
- Скоро на рынок хлынут материнские платы... (2678)
- Этот адаптер может позволить компаниям... (3092)
- Microsoft инвестирует в Индию $17,5 млрд для... (3641)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...