- Белорусские власти заблокировали доступ к... (5756)
- DeepSeek заподозрили в обучении новейшего ИИ... (3911)
- DeepSeek заподозрили в использовании... (5655)
- Большой семейный кроссовер с пожизненной... (5532)
- Есть полмиллиона: продажи внедорожников Tank... (4599)
- Землю накрыла магнитная буря после... (4278)
- Volkswagen Golf и Toyota Corolla,... (5238)
- В Китае назвали лучшие гибриды и... (5706)
- В Китае назвали лучшие гибриды и... (4602)
- В 2026 году Lada Vesta, Lada Iskra и Lada... (4549)
- Финальная HyperOS 3 на Android 16 вышла для... (5865)
- В России открылся предзаказ на обновленный... (5086)
- Qualcomm купила разработчика серверных... (5217)
- Kioxia выпустила твердотельные накопители... (3882)
- NASA «прокручивает» посадку на Луну на Земле... (5708)
- Huawei достроила завод во Франции — и теперь... (4158)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...