- NASA потеряло связь с зондом MAVEN на орбите... (4389)
- Subaru тестирует всплывающие объявления в... (4062)
- $462 млн на энергию, которая не зависит от... (3825)
- Комета, которая вернётся через 1400 лет:... (3888)
- Новая статья: Обзор наушников HONOR CHOICE... (3891)
- МГТУ им. Н. Э. Баумана запустил производство... (4664)
- Состоялся 160-й запуск Falcon 9 за год и ещё... (3180)
- «Это уже больше похоже на шутку»: даже в... (3706)
- Правительство США разрешило поставки... (2938)
- Rocket Lab готовит ракету Neutron с... (3110)
- «Изысканный и утончённый» Realme 16 Pro... (3370)
- Астрономы впервые запечатлели рождение новой... (3922)
- Этот мини-ПК размером со смартфон попал в... (4094)
- В Китае представили «летающую фуру» —... (3555)
- Теперь нетипичные цвета Nocuta не будут... (3695)
- Anker представила в России наушники для сна... (3755)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...