- Anker представила в России наушники для сна... (3768)
- Asus представила ROG Strix XG27JCG — первый... (3435)
- Увлечённый фанат выяснил, что Larian... (3147)
- У Nvidia уже готово решение для отслеживания... (3207)
- Премьер-министр Великобритании поручил... (4013)
- Видеокодек AV1 получил телевизионную премию... (4429)
- В России разработали системы для запуска... (2841)
- К астронавтам NASA на Луне приставят... (3693)
- ChatGPT научился бесплатно редактировать... (3165)
- 7500 мАч у компактного смартфона? В Сети... (3861)
- Представлены игровые контроллеры Xbox для... (3194)
- Амфибия без причалов: израильский... (3527)
- «Никогда ни во что похожее не играл»:... (4035)
- 100 Мбит/с из головы: учёные подключили мозг... (3974)
- Восьмичасовой выход в открытый космос ради... (4526)
- AMD FSR Redstone наконец вышла:... (4598)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...