- Это была первая в мире геймерская мышка.... (3815)
- Обновлённый кроссовер Honda Vezel 2026 уже... (3929)
- Microsoft пообещала ускорить Windows 11 и... (3126)
- Ugreen представила внешний корпус для... (3907)
- Xiaomi закроет более 1000 фирменных... (3694)
- ИИ Яндекса поможет Росатому построить 11... (4622)
- 6500 мАч, 80 Вт, IP69, Snapdragon 7 Gen 4 и... (3400)
- Теперь можно разом удалить все ИИ-функции в... (3283)
- RTX 4070 Ti Super, 64 ГБ памяти и Core... (3082)
- Астероидные пояса повсюду: астрономы увидели... (3683)
- Сбер рекомендует установить прямо сейчас:... (4223)
- В ходе модернизации платформы Lada Vesta... (4160)
- Пентагон создаёт штаб по искусственному... (3898)
- 5-метровый внедорожник с полным приводом,... (3761)
- «Сверхзвуковая» газовая турбина Boom... (4466)
- Discord для Windows 11 стал самопроизвольно... (5347)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...