- По Cyberpunk 2077 выйдет настольная... (4041)
- Эффект Apple. Складной iPhone выйдет осенью... (3840)
- Зафиксирован рекордный выброс сверхмассивной... (3662)
- Среднебюджетный Realme 16 Pro получит... (3548)
- Dell дала заднюю. Теперь дополнительные 16... (3772)
- Назван оператор с самым надёжным и быстрым... (3256)
- Новое поколение мониторов? Первую в мире... (3644)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS вошла в зону... (3678)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS вошла зону... (3963)
- Сбер запустил персонального помощника на... (5678)
- В России появилась альтернатива «Соболю NN... (5063)
- Пентагон пересматривает 133 космических... (3566)
- «Решение позволит укрепить суверенитет и... (4143)
- Параллельному импорту в России — быть.... (3516)
- От заправки до кино: раздел «Для жизни» в... (4982)
- Космос, лазеры и ИИ: Aetherflux строит... (5361)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...