- Фото до 120 Мп, видео 8K с углом обзора 360°... (8893)
- Японцы нашли способ выпуска 1,4-нм чипов без... (3700)
- Иркутский аэропорт выбрал для модернизации... (5569)
- От YouTube и до Twitch: в Австралии вступил... (3725)
- Дела наладились гораздо раньше ожидаемого:... (9755)
- CDP Sendsay представила инструмент... (3378)
- Chery выходит на уровень Boston Dynamics:... (5579)
- Motorola решила бросить вызов Samsung: новый... (4206)
- Nvidia научилась отслеживать местоположение... (5586)
- После рекордного 7 места российский... (4000)
- В топ-5 — только Honda и Toyota: какие... (4548)
- На The Game Awards 2025 анонсируют следующую... (5078)
- Samsung ломает традиции: новые Galaxy A37 и... (4095)
- Евросоюз опять захотел занять 20 % рынка... (5512)
- Док-станция с Oculink, USB4 и БП на 850 Вт... (5336)
- Xiaomi готовит дешевый аналог Apple... (6081)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...